【创新】紫光集团刁石京:发展集成电路要做到四个创新;耐威科技硅基氮化镓外延晶圆2019年Q2量产出货

发布时间:2019-07-30 15:05:25 来源:HC电竞-HC电竞平台-hc电竞官网点击:78

  1.北顺义、南坪山,看我国未来第三代半导体产业新高地

  2.获政府认可科创板预备役!苏州国芯获大基金入股后再受青睐

  3.上海:基础研究把钱花在“刀刃”上

  4.耐威科技硅基氮化镓外延晶圆2019年Q2量产出货

  5.协作开拓全球市场,紫光集团与群联电子签订合作协议

  6.紫光集团刁石京:发展集成电路要做到四个创新

  

  1.北顺义、南坪山,看我国未来第三代半导体产业新高地

  集微网消息(文/小北)年末将至,回顾2018年产业事件,可发现我国正加速布局第三代半导体产业,产业格局初现。

  2016可谓是我国第三代半导体产业发展“元年”,以“北京第三代半导体材料及应用联合创新基地”正式动工和第三代半导体南方基地落户广东事件为标志,我国第三代半导体的地方基地布局在各级政府推动下正在逐步展开。

  2017年政策、资金双剑合璧,工信部、国家发改委发布的《信息产业发展指南》将“第三代化合物半导体”列为集成电路产业的发展重点,国内也首现第三代半导体投资热潮。

  有专家表示,2018年是第三代半导体产业化准备的关键期。

  从近期产业的落地的一些情况也可以看到,我国第三代半导体正在产业化道路上加速推进。以下为近期第三代半导体产业大事件:

  10月18日,北大、清华等14家单位共同承担的 “氮化物半导体新结构材料和新功能器件研究”项目正式启动,同时,该项目还是“战略性先进电子材料”研发计划的一个重点专项。

  11月5日,中科晶电山西忻州半导体产业基地砷化镓项目开业运营。该项目总投资2.5亿元,以研发、生产、销售砷化镓衬底材料为主,配套建筑面积约1.7万平方米,建设有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化镓衬底材料大规模生产线,规划年产砷化镓单晶片折合4英寸200万片。

  11月13日,聚力成半导体(重庆)有限公司在重庆大足高新区举行奠基仪式。该项目占地500亩,拟投资50亿元人民币,在大足打造集氮化镓外延片制造、晶圆制造、芯片设计、封装、测试、产品应用设计于一体的全产业链基地。

  11月13日,天岳碳化硅材料项目也在当日开工,总投资30亿元,分为两期建设,一期占地156亩,主要生产碳化硅导电衬底,预计年产值可达13亿元;二期主要生产功能器件,包括电力器件封装、模块及装置,新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等,预计年产值可达50~60亿元,税收可达5~7亿元。

  第三代半导体材料即宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev),主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAS)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN),较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄,而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。微波射频领域、光电领域、电力电子等领域为第三代半导体提供了广阔的市场空间。以GaN为例,2019-2020年5G网络的实施将大大推动其市场增长。未来10年,GaN市场将有望超过30亿美元。

  随着产业与政府的共同发力,我国一批有望先筑成第三代半导体产业高地的城市、园区逐渐成型。

  深圳坪山

  今年8月,深圳加码第三代半导体产业布局,起草了《深圳市坪山区人民政府关于促进集成电路第三代半导体产业发展若干措施(征求意见稿)》,将建设第三代半导体产业集聚区,该政策主要从产业资金支持、产业空间保障、优质企业引进培育、产业研发和核心技术攻关、产业上下协同以及降低企业其他成本等多个方面就培育和壮大坪山区集成电路产业、第三代半导体产业发展设计了针对性支持条款。

  该若干意见(征求稿)指出,将加快5平方公里集成电路(第三代半导体)产业园区规划建设,优先保障集成电路企业用地。在产业资金支持方面,每年统筹安排不少于5亿元资金专项支持集成电路产业发展、合作设立规模30亿元的集成电路基金、每家企业年度信贷资助金额最高200万元;对于落户坪山的集成电路设计、封装等企业,符合相关条件的,预计将给予每家企业最高1000万元的资助;对于区政府认定的集成电路公共服务平台,预计将按设备购置费用的50%,预计一次性给予最高2000万元资助;对于购买或使用EDA软件、IP的,利用公共平台采购IC设计服务、IP复用服务的,预计按实际发生费用的50%,计划给予年度最高300万元资助等。

  北京顺义

  《北京市加快科技创新发展集成电路产业的指导意见》明确指出,要在顺义区重点布局第三代半导体产业。如今,顺义正布局全产业链,该区已形成一定的第三代半导体产业基础和优势,包括一个创新基地、一个产业联盟、一个孵化中心、一个应用研究院、一批重点项目。据悉,7.1万平方米的第三代半导体材料及应用联合创新基地已于本月竣工,联盟成员单位达105家。顺义的第三代半导体产业目前也处于加速发展期。

  据悉,顺义区已经启动了第三代半导体创新型产业集聚区前期研究和规划建设,编制了第三代半导体产业发展规划,预留了充足的发展空间,制定了第三代半导体产业专项政策,成立了专门机构加强组织领导,统筹了财政资金加大支持力度,吸引了社会资本深化产融合作等。顺义力争在到2030年抢占国际战略制高点,带动相关应用产业产值突破1000亿元。

  除北京、深圳以外,江苏、浙江、厦门、江西等地也正打造各自的第三代半导体产业特色集聚区。下面就举几个例子。

  江苏苏州汾湖高新区正加快建设第三代新型半导体产业园区,全力把第三代半导体产业打造成未来新的千亿级主导产业。据悉,目前,汾湖已经完成了包括英诺赛科在内的6个半导体项目的落地,同时还有20余个项目正在洽谈,这些项目涵盖了芯片设计、晶圆制造、封装测试、半导体设备材料等行业主要内容。英诺赛科是一家专注于宽禁带半导体技术研发与产业化的高新技术企业,2017年11月成功建设完成我国首条8英寸硅基氮化镓量产线。今年6月,英诺赛科(苏州)半导体有限公司宽禁带半导体器件研发与生产基地举行开工仪式。

  山东济南正打造宽禁带半导体产业小镇。12月7日,济南市政府与山东大学签约共同建设山东大学济南宽禁带半导体产业研究院,该研究院对产业小镇进行了总体规划,该宽禁带半导体产业特色小镇旨在承接京津冀和环渤海、省会都市圈、半岛蓝色经济带产业升级,构建以宽禁带半导体研发试验、中试和产业化生产为主导的创新性、科技型、集约化的国内一流宽禁带半导体产业园。小镇拟分近期、中期、远期三个阶段推进。近期,占地约500亩,一是重点建设占地约200亩的天岳二期工程,二是占地约200亩的宽禁带半导体产业起步区建设,三是预留100亩的宽禁带半导体产业发展机动用地;中期,重点建设宽禁带半导体产业拓展区,整合800亩土地,依托强大的研发与成果转化能力,建设宽禁带半导体上下游产业链企业孵化基地,孵化优质项目,延伸产业链条,并积极申报国家级特色孵化基地;远期,重点建设宽禁带半导体全产业链聚集区,规划3600亩土地,打造国内外知名生态科技城、宽禁带半导体产业聚集区和产城融合型特色小镇。

  广东首个第三代半导体制造业创新中心“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”于今年6月正式在松山湖成立。该创新中心由易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司多家行业内知名企业共同出资发起设立,创新中心成立后,将依托国家第三代半导体南方基地建设承担单位东莞南方半导体科技公司为平台。(校对/春夏)

  2.获政府认可科创板预备役!苏州国芯获大基金入股后再受青睐

  集微网消息(文/小北)在各地积极备战科创板的同时,一批优秀种子企业浮出水面。

  江苏省委常委、苏州市委书记周乃翔等领导班子一行在11月的调研中,到访苏州国芯时表示将积极支持其在上海科创板上市。

  换而言之,苏州国芯是明确获政府“认证”的科创板预备役。

  今年8月,苏州国芯完成D轮融资,而投资方为国家大基金。

  

  苏州国芯为何受“青睐”不断?

  苏州国芯成立于2001年,是一家从事国产自主32位高性能嵌入式CPU开发、嵌入式产品设计和推广应用的民营高科技公司,承担了国家核高基重大专项、工信部工业转型升级、江苏省科技创新团队等科研项目,是国家集成电路设计服务技术创新联盟理事单位、江苏省集成电路产业技术创新联盟副理事长单位。

  在成立当年,国芯在信息产业部指导下接受摩托罗拉先进水平的低功耗、高性能32位RISC嵌入式CPU M*Core 技术及设计方法。在此基础上,苏州国芯先后开发成功C0/C200/C300/C400系列CPU。

  2010年,苏州国芯进一步获得了IBM PowerPC CPU指令架构长期永久授权,基于PowerPC的指令集和架构开发高端嵌入式C*Core CPU,以此为高起点,经过多年的开发与自主创新,形成了具有自主知识产权的多个系列高性能低功耗C*Core 32位嵌入CPU核和面向不同应用的SoC芯片设计平台,对外进行授权、设计服务和开发自主芯片产品,先后开发成功C2000/C8000/C9000系列CPU。

  苏州国芯C*Core CPU技术路线如下:

  

  苏州国芯官网显示,其基于C*Core核心已有80多款SoC芯片完成设计,并在SMIC、HHNEC、联电/和舰、宏力和TSMC等工艺线上验证及生产。

  据悉,苏州国芯成功研制了国内第一颗手机安全专用芯片,国内第一颗通过银行卡检测中心检测符合国际PCI 5.1标准的终端安全芯片,国内第一颗汽车发动机控制芯片。

  今年5月,国芯历经5年开发的汽车电子车身控制芯片CCFC2002BC向国内某汽车电子厂商交付第一批2万颗量产应用芯片,同时开发的我国第一颗汽车发动机控制芯片CCFC2003PT,通过2000公里高寒车辆道路试验,获得初步成功。

  此外,集微网记者统计发现,长三角在此次科创板备战中表现的尤为积极,例如上海经信委为调研企业情况,下发了《关于征集推荐上交所科创版企业名单的通知》;苏州工业园区金融管理局下发了“科创板项目数据汇总表”;11月20日,浙江省创投协会官网发布了《关于推荐科创板拟上市企业的通知》;安徽省出台了《关于大力促进民营经济发展的若干意见》,明确提出“对在科创板等境内外证券交易所首发上市的民营企业,省级财政分阶段给予奖励200万元”等。(校对/小北)

  3.上海:基础研究把钱花在“刀刃”上

  92.51亿元和20%,两个数字分别代表了2017年上海基础研究经费投入经费及增长幅度。与此相比,全国基础研究经费和增长幅度分别为975.5亿元、18.5%。据《2018上海科技创新中心指数报告》显示,2017年,上海全社会研发投入达到1205.21亿元,比2016年增长了14.9%。2006—2017年间上海的研发经费累计投入为7921亿元,约为深圳的1.4倍,总量与浙江相近。

  “这些数据表明,不仅是研发投入的数量增加,更多体现为上海优化科技创新体系结构,打通基础研究各环节,进一步提升创新源头供给能力的顶层设计。”《2018上海科技创新中心指数报告》编制方、上海市科学学研究所创新政策研究室副主任常静分析说。

  科学创新从来没有像今天这样深刻影响着城市的前途命运。上海要建成具有全球影响力的科创中心,是否具有科创策源力是重要指标。加大科学基础设施投入力度,吸引国际资本和全世界顶级科学家加入,并动员国企、中小企业及高校科研院所等全社会力量,打通基础研究各环节,是上海的破题之策。

  大科学设施形成创新引力

  

  张江国家综合性科学中心及共性技术研发和转化功能型平台是上海科创中心建设的“四梁八柱”。

  “20%基础研究经费的增长,大多数来源于科技中心地区重大建设项目的建设,投入确保了重大原创成果的不断涌现。”常静说。

  当下,以张江实验室为依托,上海光源、蛋白质基础设施、软X射线、硬X射线等一批大科学设施已建成或正在建设,形成全球光科技领域规模大、种类全、功能强的大科学基础设施群之一。国际人类表型组计划一期、上海脑科学与类脑研究中心、李政道研究所等一批关注世界前沿基础研究的科研机构先后启动建设。大科学设施平台建设形成的巨大创新引力,吸引全球科学家慕名而来。据悉,2018年8月,李政道研究所在上海张江科学城开工建设,总建筑面积56000平方米,耗资10亿元,预计2020年6月完成基本建设。

  此外,产业共性技术研发和转化功能型平台弥补产业和技术鸿沟。目前,上海微技术工业研究院、石墨烯产业技术功能型平台、生物医药产业技术功能型平台、上海临港智能制造研究院、类脑芯片与片上智能系统功能型平台、集成电路产业功能型平台六大功能型平台已先期启动,是上海市基础研究投入增长的核心动力之一。

  建立创新主体间关联机制

  

  企业、高校、科研机构等是区域创新体系中的重要主体,创新要素能在其间快速流动,使创新活力不断迸发。

  中国商飞与清华、上海交大、北航、西工大等国内36所高校合作开展技术攻关和研发,带动了新技术、新材料、新工艺群体性突破,掌握了5大类,20个专业、6000多项民用飞机技术,逐步形成了民用飞机技术体系。上汽集团在新能源和智能网联领域投入了大笔研发费用,2015—2017年研发费用分别为83.71亿元、94.09亿元、110.62亿元,是中国研发投入最多的车企。

  “大型国有企业通过建立众创空间,构筑开放式创新生态圈,主动搜寻与其产业上下游配套、满足产业链研发需求的创新技术企业和科研院所,是近几年比较明显突出的态势。”常静说。

  上海市通过优化创新主体定位,建立各个创新主体之间的关联机制,营造创新生态,释放国企、大中小企业和高校科研院所在基础研究方面的创新活力。2016年上海在经营业绩考核实施细则中,提出将国企的研发投入视同于利润,进一步释放了国企开放式创新活力。此外,上海市财政局等部门利用专项资金,引导高校优化科研组织模式,围绕上海市产业关键技术需求开展科学研究。

  基础研究投入仍有增长空间

  

  尽管上海市基础研究投入实现了20%的较大增幅增长,但是相关部门表示仍然有增长空间。上海基础研究投入仅占总社会研发投入的7.7%,而主要创新型国家的这一指标达10%以上。当前上海市各部门正在研究相关政策文件,将通过体制机制突破优化科研经费投入结构。

  上海正筑牢夯实基础研究,打通“教育、研究、创新”知识三角的链条,促进基础研究融入到国民经济社会发展的主战场。据上海市科委相关负责人表示,未来上海将进一步聚焦上海科创中心“四梁八柱”建设,围绕关键核心技术原创性基础研究领域,吸收全球资本和科研力量,将教育、研究、创新知识三角之间在经费投入方面实现互动,发动全社会的力量朝着前瞻性科学研究方向,共同提升上海市创新策源能力。

  4.耐威科技硅基氮化镓外延晶圆2019年Q2量产出货

  集微网消息(文/春夏)12月24日,耐威科技在投资者互动平台表示,8英寸硅基氮化镓外延晶圆预计将于2019年二季度实现量产出货;氮化镓功率与微波器件预计将于2020年实现量产出货,均面向5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域的产业链中下游客户。

  耐威科技在本月就已发布公告称,其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)成功研制“8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆”。

  2018 年,耐威科技先后投资设立了聚能晶源、青岛聚能创芯微电子有限公司。自成立以来,聚能晶源积极投入研发。据悉,该公司先后攻克了 GaN 与 Si 材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压 GaN外延生长等技术难关,成功研制了达到全球业界领先水平的 8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆。该型外延晶圆在实现了 650V/700V 高耐压能力的同时,保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性,可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

  第三代半导体材料即宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.2ev),主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAS)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN),较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄,而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。微波射频领域、光电领域、电力电子等领域为第三代半导体提供了广阔的市场空间。(校对/小如)

  5.协作开拓全球市场,紫光集团与群联电子签订合作协议

  集微网消息,12月24日,紫光存储与群联电子在京签署战略合作协议,未来在存储产品供应链、产品设计、代工生产等领域全面深化合作。

  根据协议,双方将深化开展生产、销售存储产品与服务层面的合作,打造完整、高效的商业链条,着力联合开发创新存储产品,协作开拓全球市场。

  群联电子长期耕耘于存储控制器芯片领域,是全球存储控制器芯片及存储解决方案领导厂商,紫光存储是紫光集团“芯云战略”核心子公司,具备闪存控制器和高端SSD产品的设计能力。

  此前台媒有消息称,紫光集团为扩大产业能量,有意串连群联、矽品、南茂等台湾厂商,组成内存产业大联盟,目标取代三星等韩国厂商,打进苹果内存供应链。(校对/小北)

  6.紫光集团刁石京:发展集成电路要做到四个创新

  由工业和信息化部、上海市人民政府指导,中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办,北京赛迪会展有限公司、中国电子报社、上海市集成电路行业协会承办的"首届全球IC企业家大会暨第十六届中国国际半导体博览会(IC China2018)"12月11日-13日在上海举办,本次大会以"开放发展,合作共赢"为主题,十多个国家和地区的企业家参会,200多家国内外企业参展。紫光集团有限公司联席总裁刁石京在演讲中道出了未来中国集成电路产业如何把握机遇,实现创新发展、合作共赢的道路。

  刁石京表示,云计算、物联网、5G的快速发展离不开集成电路产业;国内巨大的应用需求,也为集成电路产业带来市场机会;国内IC产业的长期积累,新技术的层出不穷,为产业孕育了丰富的机遇。

  刁石京指出,国内集成电路产业在发展过程中,要做到以下几个方面的创新,即人才创新、机制创新、系统创新、技术创新。人才创新包括有效的团队激励,规范引入国内、国际人才,给人才发展提供创新平台;机制创新包括创造市场化机制,宽容、包容的企业文化,制定清晰的战略路线并有效执行;系统创新包括工艺与设计相结合的创新、市场与技术结合的创新,以市场需求为导向,打造产品体系、技术架构体系;技术创新包括坚持走创新与合作相结合,这是整体创新不可或缺的两个部分,在产业起步开始布局的同时就做好完整的知识产权规划。

  刁石京表示,打造可持续发展的中国集成电路产业生态体系要从政府和企业层面做好工作。政府层面要做到:抓好顶层设计;把握战略重点,尤其是重资产和基础性领域;找准突破口并持之以恒;规范市场,优化环境;通过市场政策引导创新资源的协同和集聚,实现重点领域的突破。企业层面要做到:市场带动,把握机遇,坚持体系化创新;尊重知识产权,做好完整知识产权布局;产业协同,合作共赢;优化人才培养和创新激励;避免抢热点、跟风,避免资源浪费和恶性竞争。

  刁石京介绍说,在创新方面,紫光集团做了大量工作。长江存储采用创新的Xtacking架构,充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势,实现了并行的、模块化的产品设计及制造,产品开发时间可缩短3个月,生产周期可缩短20%,为实现NAND闪存的定制化提供了可能。武汉新芯的晶圆级3D集成技术,是一种有效减小芯片面积、降低片上系统集成设计和工艺难度的新思路,这一技术将会在后摩尔时代扮演重要的角色,并被应用于高集成高速度存储器芯片、高性能传感器芯片,以及高带宽AI芯片等产品。

  紫光集团在知识产权方面也做了全面布局。首先,与国内著名的院所开展了知识产权合作,通过购买、授权的方式,用上这些大学及研究所的有关专利;其次,通过国际授权,紫光从国外公司得到相关专利;最后,与国际企业开展联合设计。